transmittance; tunneling current; high-k gate stack; anisotropic mass; incident angle;
机译:通过金属氧化物半导体电容器中的界面氧化物-高k栅极堆叠的隧穿电流的电子和空穴成分
机译:具有SiO_2和高K栅极电介质的纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中的栅极隧穿电流分析
机译:SiO_2 /高k栅堆叠电介质的对称双栅无结晶体管的直接隧穿栅电流模型
机译:高k电介质栅极堆叠的各向异性金属氧化物半导体电容中透射率与隧道电流的影响
机译:具有各种高k栅极电介质的硅金属氧化物半导体系统的电子隧穿光谱。
机译:用于金属氧化物半导体电容器和场效应晶体管的氢化金刚石上高k氧化物概述
机译:高介质隧道电流分析模型及高k门堆叠结构研究