Bestimmung von Eigenspannungen im Mikro-Nano-Ubergangsbereich mit verschiedenen Analysemethoden - Moglichkeiten und Grenzen

摘要

Eigenspannungen, die wahrend des Herstellungsprozesses von MEMS, Halbleiterstrukturen u.a. hervorgerufen werden, sind haufig kritisch in Bezug auf die Funktion und auf die mechanisch-thermische Zuverlassigkeit. In diesem Paper werden drei verschiedene Messverfahren vorgestellt und bzgl. ihrer Merkmale, wie z.B. ihrer Auflosung und Anwendbarkeit verglichen. Der Fokus liegt dabei auf dem fibDAC-Stress-Relief-Verfahren, der Raman-Spektroskopie sowie auf der Ermittlung von Eigenspannungen mit der EBSD-Methode.