机译:模拟操作下侧壁晶体取向,HfSiO氮化和TiN金属栅极厚度对n-MuGFET的影响
机译:具有不同TiN金属栅极厚度和高k栅极电介质的p-和n-MuGFET器件的GIDL行为
机译:低频噪声和TiN金属栅极厚度对n沟道和p沟道MuGFET的影响的静态分析
机译:TiN金属栅极厚度和HfSiO氮化对MuGFET电气性能的影响
机译:and和ha铝合金的紫外线辅助氧化和氮化作为金属氧化物半导体应用的潜在栅极电介质。
机译:热收支对沉积HfSiO / TiN栅堆叠MOSCAP结构的原子层电学特性的影响
机译:具有不同si表面氮化的HfTiON栅介质金属氧化物半导体电容器的电学特性
机译:过渡金属复合超导体的电致结晶。用于高导电材料的非金属和双金属硫属元素富集,广泛共轭和平面复合物