机译:低频噪声和TiN金属栅极厚度对n沟道和p沟道MuGFET的影响的静态分析
LSI/PSI/USP. University of Sao Paulo, Av. Prof. I. Cualberto, tr. 3.158, 05508-900 Sao Paulo. Brazil;
LSI/PSI/USP. University of Sao Paulo, Av. Prof. I. Cualberto, tr. 3.158, 05508-900 Sao Paulo. Brazil;
IMEC. Kapeldreef 75. B-3001 leuven, Belgium;
IMEC. Kapeldreef 75. B-3001 leuven, Belgium;
IMEC. Kapeldreef 75. B-3001 leuven, Belgium;
IMEC. Kapeldreef 75. B-3001 leuven, Belgium,EE Depart KU Leuven, Kasteelpark Arenberg 10, B-3001 Leuven, Belgium;
SOI multiple gate FET (MuCFET); TiN metal gate; HfSiO nitridation; low-frequency noise; GIFBE;
机译:氮浓度对带有氮化栅氧化物的p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的低频噪声和负偏置温度不稳定性的影响
机译:SiGe源极/漏极引起的压缩应变对高k /金属栅极p沟道金属氧化物半导体晶体管中的低频噪声的影响
机译:60 MeV质子辐照对标准和应变n沟道和p沟道MuGFET的影响
机译:锡层厚度对N沟道Mugfet的低频噪声和静态设备性能的影响
机译:溶液可加工双极性半导体聚合物的单极n沟道和p沟道有机场效应晶体管
机译:通过利用电荷俘获动力学模拟n和p沟道MoS2晶体管中的突触响应
机译:使用不同应变技术处理的P沟道SOI FinFET中的低频噪声行为
机译:通过辐照和退火在n和p沟道mOs器件中产生1 / f噪声。