FZ silicon; divacancies; multi-charge centers; electron irradiation; power electronics;
机译:锗掺杂对中子辐照中节定复合物的生产和演化的影响Czochralski硅
机译:p型直拉硅中的空位转变为空位-氧对;空位扩散的机理
机译:浮区硅中带有四空位核的离奇簇引起的中子辐照诱导效应。
机译:由于在掺杂Si的高分子中的范围内,稳定的硅电阻导致20-160°C
机译:光可调节的掺有大单体的弹性体:硅酮的热力学,传输和光化学。
机译:掺硼硅中增强的低中子通量敏感性效应
机译:在p型Czochralski硅中将divacancies转换为divacancy-oxygen对;双元扩散机制