机译:具有和不具有发射极电容对接的DC至6GHz高增益低噪声GalnP / GaAs HBT直接耦合放大器
机译:不同漏极电压偏置对HEMT低噪声放大器的微波损伤效应研究
机译:使用0.5- / spl mu / m GaAs MESFET的单片反馈低噪声X波段放大器:比较理论研究和实验特性
机译:有无直流偏置的GaAs低噪声放大器能量注入损伤的实验研究
机译:有基础注射和无基础注射的轴对称超音速流近尾迹的实验和理论研究
机译:GaAs / AlGaAs 2D系统中微波激励和直流偏置共同作用下直流电流偏置引起的霍尔电阻的B周期振荡
机译:Q波段单片GaAs PHEMT低噪声放大器:耗尽型和增强型晶体管的比较研究
机译:Y-Ba-Cu-O超导滤波器/ Gaas低噪声放大器混合电路的性能