基于GaAs工艺超宽带低噪声放大器设计

摘要

为有效扩展低噪声放大器的带宽,基于分布式放大器基本原理,使用0.15μm GaAs pHEMT工艺,研制了一种超宽带微波单片集成低噪声放大器.选用5级分布式拓扑,每级使用共源共栅结构并添加去耦电容,提高放大器增益,改善增益平坦度,拓展放大器工作带宽.仿真结果表明:所设计的放大器在0.9～30 GHz内,增益为15±1 dB,最大噪声系数小于3.5 dB,最低噪声系数仅为1.7 dB,输入和输出回波损耗均小于-10 dB,放大器工作电压为2.5 V,电流消耗71.7 mA,1 dB压缩点输出功率大于10 dBm,芯片面积为2.1 mm×1.24 mm.