III-V semiconductors; gallium compounds; semiconductor thin films; space charge waves; ultrasonic waves; wide band gap semiconductors; GaN; amplified space charge waves coupling; deformation potential mechanisms; frequency 50 GHz to 200 GHz; gallium nitride films;
机译:GaN薄膜毫米波范围耦合因耦合而激发近距离的激发
机译:在n-GaN膜中激发超音
机译:非局域性对n-GaN膜中空间电荷波放大的影响
机译:GaN薄膜中的超音波放大
机译:射频磁控溅射生长的GaN薄膜的特性用于制造AlGaN / GaN HEMT生物传感器
机译:通过HR-TEMXRD和慢正电子实验确定GaN / AlN / Si异质结构中GaN膜的缺陷结构
机译:非局部性对n-GaN膜中空间电荷波放大的影响