III-V-Nitrides; InGaPN; Metalorganic vapor phase epitaxy; Photoluminescence; PLexcitation; Single quantum wells;
机译:MOVPE生长的晶格匹配InGaPN / GaAs和GaAs / InGaPN量子阱的能带对准
机译:MOVPE生长的InGaPN / GaP晶格匹配单量子阱结构的光致发光和激发光光谱
机译:生长顺序对LP-MOVPE从V族金属有机源生长的InGaP / GaAs / InGaP量子阱性能的影响
机译:Ingapn / Gap格子匹配的单量子孔在Movpe种植的间隙(001)上
机译:缩小<001> c纹理PMN-PT陶瓷和单晶之间的性能差距
机译:单相SmB6(001)表面的间隙内表面状态的证据
机译:低压MOVPE液体源生长的InGaP / GaAs多量子阱中界面性质的研究
机译:mOVpE生长的InalGap多应变量子阱结构中可见光波长下电反射率和光电流谱的电场依赖性。