机译:生长顺序对LP-MOVPE从V族金属有机源生长的InGaP / GaAs / InGaP量子阱性能的影响
Gaas-on-ingap interface; Movpe; Sequence dependence; Structural and optical properties; Vapor-phase epitaxy; Device performance; Photoluminescence; Dependence; Gaas; Heterointerfaces; Interfaces; Deposition; Energy;
机译:通过低压金属有机化学气相沉积法生长的高探测InGaAs / InGaP量子点红外光电探测器
机译:固体源分子束外延在线性梯度变质InGaP缓冲层上生长于GaAs衬底上的InGaAs / InP单量子阱结构
机译:具有GaP分解源的固体源分子束外延生长的InGaP / GaAs的性质
机译:InGaAs / GaAs / Ingap应变层 - 气源分子束外延生长的 - 孔激光器
机译:GaP和GaAsP上的应变平衡InGaP / InGaP多量子阱电吸收调制器。
机译:α粒子辐照对InGaP / GaAs / Ge三结太阳能电池的影响
机译:在Gaas衬底上通过金属有机化学气相沉积生长的InGaas / InGaasp / InGap量子阱激光二极管的界面结构