首页> 外文会议>日本材料科学会学術講演大会 >シリコンナノウォールの作製とその形成メカニズム
【24h】

シリコンナノウォールの作製とその形成メカニズム

机译:硅纳米瓦尔的制备及其形成机理

获取原文

摘要

厚さがナノメートルオーダーのシリコンナノウォールは,その厚さや構造等の違いで電子の透過特性が大きく変化することが知られている.現在,この特徴を生かし,このウォールを用いた電子や光の挙動を制御する量子デバイスへの応用が検討されている.しかし,その作製方法には高度な技術や複雑な工程を要求するものが多く,汎用的なものはほとhど検討されていない.
机译:众所周知,厚度的厚度是纳米量级的硅纳米型,并且电子的透射特性在很大程度上变化厚度和结构的差异。目前,正在考虑使用该墙壁控制电子和光行为的量子装置的应用。然而,制造方法需要先进的技术和复杂的过程,并且尚未考虑通用目的。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号