surface step; 4H-SiC; GaN; TEM; dislocation; heteroepitaxy;
机译:降低在无台阶(0001)4H-SiC台面表面上生长的均匀GaN层中的位错密度
机译:使用多向扫描透射电子显微镜的4H-SiC晶片表面附近的表面形态和位错特性
机译:C末端4H-SiC(0001)表面的结构在石墨烯层生长中的作用:透射电子显微镜和密度泛函理论研究
机译:电子显微镜调查表面步骤在4H-SIC甘型甘草型生长期间脱位生成的作用
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机译:角分辨X射线光电子能谱研究Al2O3封端的GaN / AlGaN / GaN异质结构的表面极化
机译:C端接4H-siC(000)表面结构在生长中的作用 石墨烯层 - 透射电子显微镜和密度泛函 理论研究
机译:mOCVD在sI 4H-siC上生长的调制掺杂alxGa1-xN / GaN结构中二维电子气的光致发光研究