PVT法生长n型4H-SiC电阻率的研究

摘要

采用PVT法掺氮得到n型4H-SiC体单晶.研究了生长温度、冷却孔直径和掺氮量对电阻率的影响.实验结果表明:生长温度越低,掺氮量越多,晶片电阻率越低;冷却孔直径越小,掺氮量越多,晶片电阻率分布越均匀.但掺氮量过多会导致晶体结晶质量下降.电阻率的分布与背景B和Al含量相关,随着C/Si的升高,生长台阶的降低,电阻率升高.通过调整温场和优化掺氮工艺,获得了结晶质量较好的n型4H-SiC单晶.