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【24h】

Growth and Characterization of Single Crystal Semiconductor Nanowires

机译:单晶半导体纳米线的生长和表征

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摘要

Nanowire technology allows a bottom-up approach towards fabricating extremely small devices with negligible surface damage and with very high materials quality. The control of position, dimensions and formation of abrupt heterostructures will be described and examples of electronic and photonic devices created by this approach will be given.
机译:纳米线技术允许自下而上的方法朝着制造极小的机器人,表面损坏可忽略不计,材料质量非常高。将描述对位置,尺寸和形成的位置,尺寸和形成,并且将给出通过这种方法产生的电子和光子器件的示例。

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