背面入射中性子反射率法によるAuメッキ膜の構造評価

摘要

メッキ膜は電気化学反応を利用して材料表面に形成される金属薄膜であり、その材料が本来持たない外観意匠、防錆などの特性を付与することができ、日常生活物品から最先端の電子デバイスまで広く用いられている。メッキは様々な材料表面に簡便に施すことができる一方、低い密着性、高残留応力などの欠点があり、最先端の製造技術に応用されるときこれらの欠点が膜の剥がれやクラックとして問題となる。これらの課題の解決に製膜過程でのその場観察による界面構造等の評価は不可欠である。しかし、ウェットプロセスであるメッキ製膜のモニターには技術的な困難が多い。加えてメッキ膜はnm～mu m程度の膜厚を持っが、この膜厚領域で膜の形成過程を連続して観測するのはnmの膜厚領域で有効なX線分析技術でも難しく、現状でメッキ膜形成過程のその場観察に関する検討はあまり進hでいない。