Cu表面上における水素化ホウ素ナトリウム酸化反応機構の密度汎関数法による解析

摘要

無電解めっきは外部電源を使用せずに非導電部への均一成膜や位置選択的析出を可能としクエレタトロニクスを初めとした先端分野で広く用いられているがプロセス全体の反応機構は非常に複雑でありク詳細には解明されていない。今後，より精密な反応制御を実現するためには一原子単位で解析可能な理論的解析が重要であると考えられる。これまでに我々をも代表的な還元剤であるジメチルアミンボラン（DMAB），次亜リン酸及びアルデヒド類の酸化反応経路を解析してきた。本検討では,無電解めっきにおける代表的な還元剤であり，また燃料電池における水素供給剤としても知られる，水素化ホウ素ナトリウムの酸化反応機構を対象とし，解析を行った。