首页> 外文会议>Symposium on Micro- and Nanosystems- Materials and Devices >In-Situ Pretreatment Approach for Surface Deterioration Alleviation Amidst Thermal Desorption of Si(100)
【24h】

In-Situ Pretreatment Approach for Surface Deterioration Alleviation Amidst Thermal Desorption of Si(100)

机译:在Si(100)的热解吸中的表面劣化缓解的原位预处理方法

获取原文

摘要

Within this article, a novel in-situ method is proposed as a modification of-Jthermal desorption utilizing pretreatment which can be applied to systems subject to materia'Hdeposition, substrate heating, and creation of non-oxidizing environments (vacuum or inert atmosphere). Following the theoretical development of this proposed method, involving the fue lirig of the oxide-reduction reaction with segregated sacrificial material, the method is demonstrated experimentally on Si (100) wafers utilizing ex-situ atomic force microscopy for resulting surface topography analysis and in-situ reflective high-energy electron diffraction for crystalline information during the modified thermal desorption progression.
机译:在本文中,提出了一种新的原位方法作为利用预处理的预处理的j热解吸改性,该预处理可以应用于本体素,衬底加热和非氧化环境(真空或惰性气氛)的系统。在这种提出的方​​法的理论发展之后,涉及与隔离牺牲物质的氧化物还原反应的Fue Lirig,通过用于产生表面形貌分析的前u原子力显微镜和中,通过实验对Si(100)晶片进行实验证明该方法。改性热解吸进展期间,原位反射高能电子衍射进行晶体信息。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号