TCAD simulation; Channel noise; Gate induced noise; Noise figure; Sub-100nm technology node MOSFETs;
机译:基于TCAD仿真的600-3300 V级高速GAN垂直沟MOSFET的渠道移动性对渠道移动性的影响
机译:TCAD仿真研究亚纳米30nm多栅极SOI MOSFET的尺寸效应
机译:使用二维阻抗场方法模拟在RF频率下以热载流子状态工作的亚微米n-MOSFET的电流波动
机译:利用三维TCAD仿真,高频噪声优化Sub-100nm MOSFET
机译:SOI设备低功耗,高频横向SiGE HBT的优化TCAD模拟
机译:面向低电压低能耗的超薄绝缘体上硅MOSFET低频噪声行为的经验和理论模型
机译:先进的N沟道FDSOI MOSFET中低频噪声的半角质建模与2D数值模拟
机译:利用IsE-TCaD软件模拟在低温下工作的功率mOsFET器件