III-V semiconductors; distributed amplifiers; frequency response; gallium arsenide; modulators; power HEMT; preamplifiers; 19.5 dB; 20 GHz; 37 GHz; 38 GHz; 40 Gbit/s; 8.5 V; 9.8 dB; GaAs; cascaded amplifiers; cascode cells; distributed amplifier; flat frequency response; m;
机译:具有6 VPP输出的54 GHz分布式放大器,用于40 Gb / s LiNbO3调制器驱动器
机译:用于III-V Mach-Zehnder调制器的10 Gb / s AlGaAs / GaAs HBT高功率全差分限制分布式放大器
机译:高增益带宽差分分布式InP D-HBT驱动器放大器,具有40 Gb / s的大输出摆幅(11.3 Vpp)
机译:用于40 Gb / s调制器的,输出电压为8.5 V / sub PP /的GaAs分布式放大器
机译:使用SiC HEMT器件上的GaN的3.6 GHz Doherty功率放大器,其饱和输出功率为40 dBm。
机译:输出电源限制和被动模式锁定GaAs / Algaas量子阱激光器的改进
机译:用于40Gb / s调制器的,具有8.5Vpp输出电压的GaAs分布式放大器