III-V semiconductors; gallium compounds; high electron mobility transistors; wide band gap semiconductors; Europe; European industrial and university partners; GaN; HEMT technology; KORRIGAN; MMIC; circuit; module demonstrators; stand alone European supply chain and;
机译:增强模式AIGaN / GaN HEMT和MIS-HEMT技术
机译:低开启电压AlGaN / GaN横向场效应整流器与P-GaN门HEMT技术兼容
机译:P-Gan门HEMT平台上的GaN电源IC技术
机译:KORRIGAN-欧洲GaN HEMT技术的全面计划
机译:用于大功率应用的AlInN / GaN HEMTS的技术开发和表征
机译:使用极薄的栅极介电层综合电离剂量效应的全电离剂量效应
机译:常开型GaN HEmT技术中的DC / DC转换器,用于mmIC技术中的RF功率放大器设计