表面マイクロマシニングのためのSiCの選択CVD

机译：表面微机械线CVD的SIC

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本研究は，テトラメチルシラン(Si(CH_3)_4，TMS)を用いた常圧CVDを用い，SiN，およびSiO_2をパターニングしたSi基板に多結晶SiCを成長させ，各下地の平面内での配置（パターン），および常圧CVDのプロセス条件によってSiCがどのように成膜されるかを，SiCの表面マイクロマシニングのために系統的に調査したものである。

机译：在该研究中，我们使用常压CVD使用四甲基硅烷（Si（CH_3）_4，TMS），并在用SIN和SiO_2图案化的Si衬底上生长多晶SiC，以及在平面（图案）下方的布置和常压的过程条件CVD系统地研究了SIC的表面微机器，通过形成SiC。

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来源
《“センサ·マイクロマシンと応用システム”シンポジウム》|2008年||共1页
会议地点
作者
畠山庸平; 江刺正喜; 田中秀治;
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正文语种
中图分类 TP212-53;
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