(261-0345)高密度半導体パッケージの熱疲労信頼性におよぼす周辺構造および材料の影響

摘要

近年，FEM解析によりLSI パッケージの構造信頼性を解析する技術が発展しつつある．LSI パッケージは構造が微細かつ複雑なため，FEM解析においては，解析規模の問題から構造を簡略化したモデルが用いられることが多い．しかし，モデルを簡略化することにより実際とは異なる挙動を示し、信頼性上の問題点を正確に把握出来ないことが予想される．従って，信頼性解析には構造を簡略化しない大規模な詳細モデルが望まれる．近年，コンピュータと解析ソフトウェアの発達により数百万節点クラスの大規模解析が比較的容易に可能になりつつあることから，本研究では，従来省略されてきたヒートスプレッダや基板内の配線構造などを付加したLSI パッケージの大規模解析モデルを用いてそれらの構造および周辺材料が１次実装バンプの信頼性に及ぼす影響について検討した．