C-InN; In-rich growth condition; High resolution X-ray diffraction; Raman scattering;
机译:在邻近(001)GaAs衬底上生长的GaN的结构和光学性质与等离子体辅助MBE生长条件的相关性
机译:热退火对(311)B和(001)Gaasbi / Gaas单量子孔的光学和结构性能的影响
机译:LT-InN缓冲液生长条件对MBE在Si(111)衬底上生长InN薄膜质量的影响
机译:MBE在富含和氮生长条件下通过MBE生长的GAAs(001)的结构调查
机译:快速热退火对MBE生长的光电器件GaAsBi / GaAs异质结构影响的研究。
机译:MBE在GaAs上生长的应变GaAsSb / GaAs QW结构的光致发光和能带排列
机译:MBE生长的共混锌 ud的结构表征Ga1-xMnxN / GaAs(001)与Ga通量的关系
机译:在未对准的Gaas(001)衬底上研究mBE生长的InGaas层中的错配位错构型