机译:通过脉冲CV和现场测量观察到,基于O氧化物的MOS器件对低剂量率伽马射线辐射的总电离剂量响应
机译:使用氮化钛-氧化铝-氮化硅-氧化硅-硅器件的非易失性全电离剂量辐射传感器,可实现高响应和良好的数据保留
机译:使用氟处理的MOHOS改善总电离剂量辐射传感器的性能
机译:使用低聚物有机半导体材料和装置电离辐射总剂量检测器
机译:SiGe PMOS器件上的总电离剂量辐射效应和负偏置温度不稳定性
机译:使用氟处理的MOHOS改善总电离剂量辐射传感器的性能
机译:静态和动态条件下半导体功率器件上总电离剂量效应的研究。静态和动态条件下电离辐射总剂量对半导体功率器件的影响研究