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Nonvolatile Memory Based On Reversible Phase Transition In Chalcogenide Semiconductor Thin Film

机译：基于硫属化物半导体薄膜可逆相转变的非易失性记忆

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《Japan International Electronic Manufacturing Technology Symposium》|2001年||共4页
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作者
Nakayama K.; Kitagawa T.; Institute of Electric and Electronic Engineer;
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正文语种
中图分类自动化技术、计算机技术;
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