High-k oxides on InAs 100 and 111B surfaces

机译：INAS 100和111B表面上的高k氧化物

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Al_2O_3 and HfO_2 high-k oxides deposited by atomic layer deposition have been studied on InAs 100 and 111B surfaces. By using a low-frequency fitting routine, interface defect densities have been extracted. In general, both HfO_2 and Al_2O_3 show similar D_(it) profiles, with a D_(it) minimum around 2×10~(12) eV~(-1)cm~(-2).

机译：在INAS 100和111B表面上已经研究了由原子层沉积沉积的Al_2O_3和HFO_2高k氧化物。通过使用低频拟合例程，提取了界面缺陷密度。通常，HFO_2和AL_2O_3都显示了类似的D_（IT）配置文件，D_（IT）最小约2×10〜（12）EV〜（-1）cm〜（-2）。

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来源
《Meeting of the Electrochemical Society》|2012年||共7页
会议地点
作者
E. Lind; J. Wu; L. E. Wernersson;
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正文语种
中图分类 TM21-53;
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