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机译:烷基和烷基胺前体与天然氧化物GaAs(100)和InAs(100)表面的反应性比较
UMBC, Dept Phys, 1000 Hilltop Circle, Baltimore, MD 21250 USA;
UMBC, Dept Phys, 1000 Hilltop Circle, Baltimore, MD 21250 USA;
Atomic layer deposition; Interface; Diffusion; Interface clean-up;
机译:GaAs(100)上烷基卤化物的偶联与表面蚀刻反应。 2. CH2I2反应
机译:高通量下(100)InAs表面和GaAs大孔径光电导开关的太赫兹发射的定量比较
机译:InAs(100)表面TiO2薄膜的原子层沉积(ALD)过程中的铟扩散和自然氧化物去除
机译:XPS对GaAs(100)表面天然氧化物的表征研究
机译:在InAs(100)和GaAs(100)表面上高k金属氧化物原子层沉积过程中的表面化学和界面演化。
机译:烯烃与烷基腈和胺的氧化12-碳氨化反应生成γ-氨基烷基腈
机译:GaAs(100)和InAs(100)衬底上的超薄(1x2)-Sn层:一种用于去除非晶表面氧化物的催化剂