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大気開放型プラズマCVMにおける加工速度フィードバック制御機構の開発(第3報)-アクチノメトリー法を用いた反応種密度計測における誤差要因の検討

机译:使用静脉曲缝法测定逆变等离子体CVM(第3报告)误差因子的误差因子的误差因子的开发

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摘要

大気開放型数値制御プラズマCVMを用いて,Si(111)基板の加工を行うとともに,アクチノメトリー法を用いてプラズマ中のIF/IArを測定し加工量との関係を調査した結果,IF/IArおよび加工速度には正の相関が存在し,プラズマCVM加工における加工速度の制御に適用できる可能性を示した.しかし,加工誤差±1%以内の数値制御走査加工を実現させるには,単位加工痕の体積加工量を正確に算出することが必要不可欠である.本研究では,NewViewを用いたバッチ間における測定再現性を調査したところ,体積加工量算出における誤差は0.23%であることが分かった.今後,粒子の混入を防ぐための試料保持機構を作製しバッチ間における測定再現性誤差を±0.1%以下に抑制する.
机译:由于使用空气开放的数控等离子体CVM处理Si(111)衬底,使用静脉曲切法测量等离子体中的IF / IAR,研究了与处理量的关系,如果/ IAR是正相关的在处理速度下存在,并显示它可以应用于控制等离子体CVM处理中的处理速度。然而,为了在处理误差的±1%内实现数值控制扫描,必须准确地计算单元处理标记的体积处理量。在本研究中,我们使用NewView调查了批次之间的测量可重复性,并发现体积处理量计算中的误差为0.23%。在未来,生产用于防止颗粒污染的样品保持机制,批次之间的测量再现性误差被抑制至±0.1%或更低。

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