SiC セラミックスの超精密CMP 加工の研究－第1報 高温ポリシングの試み

摘要

一方，加工表面に化学反応層を形成し，それを除去する化学的機械研磨CMP(Chemical Mechanical Polishing）加工は材料除去過程における機械的作用の影響は小さくできると考えられ，無擾乱，低コスト加工の可能性を持つ．しかし，SiCは化学的に安定な材料であるため化学反応層の形成が活発ではなく，そのままではCMP加工の適用は難しいものと考えられる．本報告においては，これらの問題点を解決するため，CMP スラリーを加熱し，高温状態にしてCMP 加工を行うことにより表面での化学反応層の形成を活発化させ，SiC セラミックスに対するCMP 加工の実現を試みたので報告する．