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SiC单晶片CMP超精密加工技术现状与趋势

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摘要

综述了半导体材料SiC抛光技术的发展,介绍了SiC单晶片CMP技术的研究现状,分析了CMP的原理和工艺参数对抛光的影响,指出了SiC单晶片CMP急待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行了展望.

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来源
《宇航材料工艺》|2010年第1期|9-13|共5页
作者
肖强; 李言; 李淑娟;
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作者单位

西安理工大学机械与精密仪器工程学院,西安710048;

西安工业大学机电工程学院,西安710032;

西安理工大学机械与精密仪器工程学院,西安710048;

西安理工大学机械与精密仪器工程学院,西安710048;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类
关键词
SiC单晶片; 化学机械抛光; 粗糙度; 抛光效率;
入库时间 2023-07-25 19:06:29

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