超高効率電力変換を目指した2つの主回路トポロジーにおける損失の実測比較

摘要

文献(1～2)で提案されたSiCデバイスを用いたHEECSトポロジーに基づくインバータにおいて，電力変換効率99.65%の実験データが文献(3)で公表される予定である。一般的なインバータにおける損失は，導通損とスイッチング損およびその他の損失に大別できる。導通損を減らすには，パワーデバイスを並列接続する手法が考えられるが，99%を超える変換効率の領域ではデバイスの出力静電容量C_(oss)による損失が無視できなくなる。本論文では，電流経路のオン抵抗を減らすことの出来るT型トポロジー回路と，HEECSトポロジー回路の直流出力運転における損失比較を行ったので報告する。