首页> 外文会议>電気学会全国大会 >広範囲被覆可能なCMOSベースマルチモーダル電気脳刺激·計測デバイスの開発
【24h】

広範囲被覆可能なCMOSベースマルチモーダル電気脳刺激·計測デバイスの開発

机译:开发宽范围覆盖的基于CMOS的多模态电直大脑刺激和测量装置

获取原文

摘要

オプトジェネティクスとは、チャネルロドプシン2(ChR2)等の光感受性タンパクを遺伝子操作により生体細胞に導入して光反応性を付与する技術であり、脳機能を解明するツールとして、注目されている。我々は、CMOS集積回路技術を用いて、オプトジェネティクスに応用可能なマルチモーダル脳刺激·計測デバイスを提案してきた[1]。今回、CMOSチップ搭載神経インターフェイスデバイスを2次元的に配置した広範囲対応型マルチモーダル脳刺激計測デバイスを開発した。
机译:致光学是一种通过遗传操作来引入感光蛋白,例如通道罗摩蛋白2(CHR2)进入体内细胞,以赋予光反应性,并将注意力作为阐明脑功能的工具。我们提出了使用CMOS集成电路技术的多模态脑刺激和用于光学机构的测量装置[1]。这一次,我们开发了广泛的兼容多模式脑刺激测量装置,其中CMOS芯片的神经接口装置是二维布置的。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号