SIトランジスタを用いたマルチレベル方式による二次電池電力貯蔵用交直電力変換器の効率向上 - クランプキャパシタの設計方法

摘要

本研究ではIGBTよりも低オン電圧かつ高速スイッチングという優れた特性をもつノーマリオフ特性のSIT (Bipolar-mode SIT: BSIT)をスイッチング素子に用いることで導通損失を低減し、交直電力変換器の変換効率の向上を検討した。BSITの定格電圧の関係から図1に示す，耐圧を低減可能な3レベルキャパシタクランプ形ハーフブリッジ回路への適用を検討し，PWMインバータ動作でシミュレーションを行った。その結果，片道約98%，往復約96%の変換効率が期待できることが示されている。今回はクランプキャパシタの設計方法について検討した結果について述べる。