机译:界面层和过渡区对高K栅极电介质堆叠的栅极电流性能的影响:其与栅极电容的权衡
机译:在硅上高k电介质的脉冲激光沉积过程中界面层的光形成
机译:使用单晶片湿工具形成用于高k栅极电介质的界面氧化物层
机译:在硅上交替的高k栅极电介质生长过程中,应用紫外线辐射以最小化界面层的形成
机译:镧基氧化物的原子层沉积,用于高K栅极电介质应用。
机译:具有气溶胶沉积的高K介电层的叉指电容器在电容式超感测应用中具有最高的电容值
机译:基于氮化物界面层的具有高k栅极电介质叠层的锗mOsFET的设计,制造和表征