机译:先进的源极/漏极工程技术,用于在100 nm以下的SOI CMOS中使用激光退火和预非晶化注入形成盒形超浅结
机译:多晶硅栅极形态对深亚微米CMOS晶体管中掺杂剂激活和失活动力学的影响
机译:亚微米和深亚微米CMOS工艺中的周边门控单光子雪崩二极管
机译:深亚亚微米CMOS中的超级结合形成和栅极激活
机译:一种深亚微米单栅极CMOS技术,使用通过快速热化学气相沉积形成的原位掺杂硼的多晶硅锗锗栅极
机译:空间受限的Rhoa的激活在由p114RhoGEF上皮连接驱动结形成和形态发生
机译:设计避免深亚微米CmOs工艺中对EsD保护电路的过栅驱动效应
机译:4/3硅栅CmOs技术的设计信息