机译:使用市售的SiGe HBT MMIC技术的5.7和11.2 GHz低功耗低噪声有源混频器
机译:紧凑型SiGe HBT模型的分析电流-电压关系。二。在实际HBT和参数提取中的应用
机译:横向器件缩放和气隙深沟槽隔离对200 GHz SiGe:C HBT可靠性性能的影响
机译:用于可扩展的MEXTRAM模型的SiGe HBT的参数提取,以及用于11 GHz的SiGe HBT MMIC有源接收混频器设计的性能验证
机译:SiGe HBT的功率衍生热表征和使用锁相环的定时电路设计。
机译:宽带siGe HBT有源混频器的分析与设计