Ge-Si alloys; MMIC amplifiers; bipolar integrated circuits; feedforward amplifiers; heterojunction bipolar transistors; microwave bipolar transistors; 0.4 to 2.6 V; 5 GHz; 5.2 GHz; 59 mA; 71 mA; HBT-based current source; SiGe; bias-current control; coupled-emitter res;
机译:适用于5 GHz应用的单片SiGe HBT前馈可变增益放大器
机译:适用于5 GHz应用的单片SiGe HBT前馈可变增益放大器
机译:采用Si / SiGe BiCMOS技术的3V可变增益放大器,用于5GHz WLAN应用
机译:具有5 GHz应用前馈配置的单片SiGe HBT可变增益放大器
机译:转移衬底HBT技术中改进的电流增益截止频率和高增益带宽放大器。
机译:CMOS高度线性电流放大器具有电流控制增益用于传感器测量应用
机译:用于无线应用的高效平衡开关路径单片siGe HBT功率放大器