single crystalline; SiC; MEMS; molten KOH; Al mask; anisotropic wet etching; bulk micromachining; activation energy;
机译:6H n碳化硅(SiC)单晶的熔融KOH蚀刻中的微管和缺陷研究
机译:通过熔融KOH蚀刻的切片4H-SiC(0001)的高效抛光
机译:通过KOH熔融蚀刻对植入(P型和N型)4H-SiC外延层的脱臼分析
机译:使用熔融KOH进行SiC块体微加工的单晶SiC各向异性刻蚀
机译:通过升华法生长的块状3C-SiC单晶的研究。
机译:使用3C-SiC-on-SiC种子堆叠在块状(100)3C-SiC气相生长过程中的局限性
机译:通过熔融KOH蚀刻的切片4H-SiC(0001)的高效抛光
机译:低损伤,高度各向异性的siC干蚀刻