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【24h】

Optical switching due to band-gap renormalization in MQW GaAs/AlxGa1-xAs at high excitation levels

机译:在高励磁水平下MQW GaAs / Alxga1-XA中的带间隙重整导致光学切换

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摘要

The e-h plasma stimulated luminescence line A$-1$/ red-shifted (25 meV) due to band-gap renormalization is detected. The A$-1$/ emission lasts 100 ps. This peculiarity evidenced that a switching time of 100 ps can be achieved.
机译:检测到由于带间隙重整化引起的E-H等离子体刺激的发光线为$ -1 $ /红色移位(25 mev)。 $ -1 $ /排放持续100 ps。这种特殊性证明可以实现100 ps的切换时间。

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