机译:宽带隙半导体和设备中的缺陷表征,成像和控制
机译:起始测量电压相对于平带电压位置的变化对电容电压滞后以及InGaAs /高k金属氧化物半导体叠层的缺陷表征的影响
机译:电容电压滞后研究InGaAs金属氧化物半导体器件上沉积的Al_2O_3和HfO_2高k电介质中氧化物缺陷能级的分布
机译:半导体器件缺陷表征工具:EBIC和电压对比
机译:室温辐射检测器(碲化镉锌,碲化镉锰,溴化th)和半导体材料中的点缺陷特性可用作光电器件。
机译:SiGe / SOI外延半导体中的正电子An灭表征缺陷
机译:通过电子束激励表征半导体缺陷。 CL / EBIC / SDLTS。