junction gate field effect transistors; MOSFET; semiconductor doping; semiconductor junctions;
机译:采用无注入工艺的高源/漏In_(0.53)Ga_(0.47)As QW-MOSFET超低导通电阻的实验演示
机译:具有局部浮动超结的低导通电阻4H-SiC UMOSFET
机译:沟槽栅集成的超结横向双扩散MOSFET,具有低比导通电阻
机译:具有高漏极电流能力和低导通电阻的超结MOSFET的工艺设计
机译:具有沟槽底部源极触点的高密度,低导通电阻的沟槽横向功率MOSFET。
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:使用FG-MOSFET全差分电流模式集成商的连续时间CMOS低通滤波器设计及其分析