boron nitride; filament temperature; precursor; CVD;
机译:RF等离子体CVD法合成硼烷-氨和氮的氮化硼膜
机译:射频功率对使用三(二甲基氨基)硼气体进行等离子体辅助化学气相沉积的含氢氮化硼碳氮薄膜介电性能的影响
机译:化学气相沉积六边形氮化物氮化膜氮化硼前体的比较研究
机译:使用Tris(Bimethylamino)硼烷前体通过细丝辅助CVD沉积氮化硼膜
机译:三叠氮化硼作为氮化硼薄膜沉积的前体。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:用BORaNE胺沉淀等离子体增强硼氮化物