Sub-50-nm InGaAs; MOSFET; n-InP;
机译:沟道厚度取决于具有n-InP源的InGaAs MOSFET的高电流密度
机译:集成了硅有源衬底(III-V-OIAS)的III-V绝缘体上超薄InGaAs MOSFET
机译:直接评估栅极线边缘粗糙度对低于50nm n-MOSFET的扩展轮廓的影响
机译:在Si衬底上具有n-InP源的50nm以下InGaAs MOSFET
机译:对具有薄界面钝化层的III-V衬底上基于二氧化ha的MOSCAP和MOSFET的研究
机译:高衬底温度下通过液滴外延生长的单个InGaAs / GaAs量子点的单光子发射
机译:具有CMOS兼容的源/漏技术的InGaAs N-MOSFET和在Si平台上的集成