机译:混合III–V /硅技术,用于在200毫米完全兼容CMOS的硅光子平台上进行激光集成
机译:用于200毫米全CMOS兼容硅光子平台的激光集成的混合III-V /硅技术
机译:新颖的锗n-MOSFET,在硅上选择性生长的Ge上具有提高的源/漏,用于单片集成
机译:新型自对准腔形成技术实现了具有Pd-InGaAs源极/漏极触点的超薄In0.7Ga0.3As空载N-MOSFET
机译:用于纳米级CMOS的先进源/漏技术。
机译:在硅光子平台上通过光刻技术制造的CMOS兼容高Q光子晶体纳米腔
机译:高性能n-MOSFET,在Si上选择性生长的Ge上具有新颖的源/漏,用于单片集成