GaAs; MOS capacitors; Interface states; High magnetic field; Magnetic susceptibility;
机译:一种使用时变磁场来测量MIS电容器中界面陷阱密度的新技术
机译:在硅衬底上的MOCVD生长的InGaAs外延层上制造的低界面陷阱密度Al_2O_3 / In_(0.53)Ga_(0.47)As MOS电容器
机译:减少n型4H-SiC MOS电容器中的界面陷阱的替代技术
机译:一种使用时变磁场测量GaAs MOS电容器界面捕集密度的新技术
机译:使用门控霍尔法提取InGaAs金属氧化物半导体结构中的载流子迁移率和界面陷阱密度。
机译:金属氧化物-石墨烯场效应晶体管:界面陷阱密度提取模型
机译:非单调磁场和面内密度依赖性 Gaas / alGaas中稀释的二维空穴中的磁阻