Room temperature gate-controlled electron spin relaxation time in (110) GaAs/AlGaAs quantum wells

机译：室温栅极控制电子旋转时间（110）GaAs / Algaas量子孔

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We have successfully fabricated a high-quality (110) p-i-n structure with GaAs/AlGaAs quantum wells (QWs) and demonstrated a tenfold modulation of electron spin relaxation time in the QWs by applying an electric field at room temperature.

机译：我们已经成功地制造了具有GaAs / Algaas量子阱（QWS）的高质量（110）P-I-N结构，并通过在室温下施加电场来证明在QWS中的电子自旋弛豫时间的十倍调制。

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《Annual Meeting of the IEEE Photonics Society》|2010年||共2页
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中图分类 O43-53;
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