机译:300 0; C正常工作的AlGaN / GaN MOSFET具有低泄漏电流和高导通/截止电流比
机译:250℃工作常关型GaN MOSFET
机译:具有HfO_2栅绝缘体的常关型GaN和AlGaN / GaN MOSFET的制造
机译:具有大电流和常关操作的GaN MOSFET
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:具有ALD-Al2O3栅极电介质的全离子注入常关GaN DMOSFET
机译:关于常关GaN HEmT器件中p-GaN栅极的物理操作和优化