机译:300 0; C正常工作的AlGaN / GaN MOSFET具有低泄漏电流和高导通/截止电流比
机译:采用氢氟酸预处理的低栅极漏电流的常关型AlGaN / GaN MIS-HEMT
机译:通常 - 使用氢氟酸预处理的低栅极漏电流具有低栅极漏电流的AlGaN / GaN MIS-HEMT
机译:具有低泄漏电流和高击穿电压(825 V)的8 in。Si上的常关Al_2O_3 / AlGaN / GaN MOS-HEMT
机译:具有常关操作,高导通电流和低导通泄漏的AlGaN / GaN metal-2DEG隧道结FET
机译:结合虚拟栅极和转移电子效应的影响,对AlGaN / GaN HFET的漏极电流特性进行分析建模。
机译:栅漏电流在AlGaN / GaN肖特基栅HFET和MISHFET中引起的陷阱
机译:栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由低频噪声和脉冲电测量证明,栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由脉冲I-V和低频噪声测量证明