A novel deep guard-ring InGaAs PIN photodiode structure reducing a crosstalk in SWIR imaging detection

机译：一种新型深卫圈IngaAs PIN光电二极管结构在SWIR成像检测中减少串扰

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A low crosstalk planar-type InGaAs/InP photodiode structure is demonstrated using a deep guard-ring technique. The fabricated 5×5 photodiode array with the deep guard-ring structure shows the good crosstalk performance characteristic of 2.57 % at the nearest pixel. The obtained crosstalk characteristic is one of the best values among the planar-type InGaAs PIN photodiodes reported so far.

机译：使用深防护环技术对低串扰平面型IngaAs / InP光电二极管结构进行了说明。具有深防护环结构的制造的5×5光电二极管阵列显示最近像素的良好串扰性能2.57％。所获得的串扰特征是到目前为止报道的平面型IngaAs PIN光电二极管中的最佳值之一。

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来源
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》|2016年|1 v.|共2页
会议地点
作者
Inseob Noh; Hyungjun Noh; Youngjun Kim; Kiwon Lee; Kyounghoon Yang;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类半导体技术;
关键词
Crosstalk; Indium gallium arsenide; PIN photodiodes; Measurement by laser beam; Imaging; Laser beams;

机译：串扰;铟镓砷化镓;销光电二极管;通过激光束测量;成像;激光束;

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