机译:通过更改p-InGaN覆盖层的厚度来改善p-GaN膜上的Ni非合金欧姆接触
机译:Ni / Au与p-GaN之间的接触电阻率很低,这是通过掺杂Mg的薄p-GaN和p-InGaN化合物接触层实现的
机译:覆盖p-InGaN / p-GaN超晶格的表面层对与p-GaN的接触的影响
机译:p-InGaN层对基于ITO的p-GaN欧姆接触的影响
机译:研究与碳化硅的欧姆接触的形态,机理和中间层。
机译:在p-GaN上两步沉积Al掺杂的ZnO以形成欧姆接触
机译:基于透明的ZnO的欧姆接触P-GaN